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图书迷 > 都市言情 > 开局摩配厂,结局南天门计划! > 第169章 抢占EUV光刻机配套专利!
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第169章 抢占EUV光刻机配套专利!

“光刻机的问题,我这边会联合国内高校、研究所、一起解决!”

韩文韬对邱云说道:“你放心,光刻机不是没办法追,没你想象中的那么难!”

“即便是现在,【北辰】公司也已经有很多技术积累了!”

“你说的12寸晶圆厂自动物料搬运系统,还有硅片问题……我年后联合【北辰精密】解决这方面的问题!”

“保证在晶圆厂投入使用之前,将问题解决。”

目前12英寸晶圆厂的自动物料搬运系统,全球也是刚刚投入使用。

主要的问题还是精度!

以及——洁净度!

精度自然不用多说,涉及到芯片半导体,哪怕是搬运物料,硅片取送,要求都极高!

不仅仅是精度,还要稳定!

洁净度自然不用多说。

一粒微小尘埃落在晶圆上,就会造成电路短路、断路,直接报废整片晶圆。

整个晶圆厂车间,洁净度要求是:ISo5,百级。

也就是:每立方英尺空气中≥0.5μm灰尘颗粒≤100颗。

核心光刻设备内部晶圆微环境,洁净度需要达到:ISo4——十级!

也就是:每立方英尺空气中≥0.5μm灰尘颗粒≤10颗。

这种洁净度下,自动物料搬运系统,无论你怎么做……地上走?还是搞在空中?

导轨之间的摩擦,都可能产生尘埃。

所以整个自动物料系统要求极高!!

才值得邱云拿出来说。

但是对于韩文韬来说,都不是问题。

制作出耐磨材料,加上【北辰精密】的高精度设备和控制系统,完成这个自动物料搬运系统难度不大。

至于硅片?

这个更简单!

【原子重组】的能力,直接从原子微观视角整合硅片的制作工程:

石英砂还原为冶金级硅;

在单晶炉内将多晶硅熔化,用籽晶缓慢旋转提拉,生长成圆柱形的单晶硅锭;

在这些过程中,原子的排列和变化。

找到最佳精炼方法、温度、拉晶的力度曲线等等。

有了原子级的详细数据,再去逆推整个生产制造设备、方法、工艺……不存在任何问题!

最多就是多尝试几次!

甚至还能将现有设备、加工方式、以及工艺上做优化!

“老板有信心就好……这件事其实不着急,我等着公司资产的12寸大硅片!”

邱云对老板的自信……怎么说呢!

有一定的信心!

但不完全相信。

只有搞半导体这一行,才知道晶圆厂设计的设备、材料有多少、精度有多高。

仅仅是光刻机,他就不觉得,老板自己联合东大国内的高校和研究所,就能解决!

能追上全球众多国家、各领域最顶尖的企业、联合生产制造的——最顶尖的光刻机!

目前,光刻机已经到0.13um……也就是130纳米,将步入90纳米制程工艺。

东大国内的光刻机?

邱云真的了解过。

东大确实能生产制造光刻机……只不过制程工艺0.8微米-1微米的水平。

也就是800纳米-1000纳米!

对比120纳米和90纳米,差距确实很大。

用来生产一些普通的电器芯片,高校和科研机构是没问题的。

但是要用在高端电子设备上,1微米和0.8微米?

根本不够看!

差了整整5代!!!

这要追赶阿斯麦90纳米的光刻机……那差的就不是5代了。

其中的难度……根本没办法说。

“那我先走了!”

韩文韬没和邱云多说什么,没去解释什么。

他将邱云提出的问题记下来,在晶圆厂正式投入使用前解决就行。

当然……光刻机不可能解决。

还是只能先用0.25um的光刻机。

但是韩文韬记得……前世盘点阿斯麦的时候,EUV光刻机是2002年,也就是今年才取得突破。

制作出第一台工程样机。

这一台样机,只是用来验证技术的,根本没办法使用。

真正第一台EUV光刻机发布,是2001年!

真正交付第一台EUV光刻机是2013年。

真正使用上EUV光刻机的,是台电的16纳米FinFEt工艺。

大规模使用EUV光刻机是2017年的7nm工艺,以及后续的5nm工艺!

“要不弯道超车?从KrF光刻机跳到EUV光刻机?”

“资金不是问题,技术有些问题……但投入海量资金情况下,加上时间是能解决的……最重要的是专利!!!”

“还有多重曝光技术的专利!”

“这时候还没人去研究EUV的光刻胶吧?专利都可以先占着!”

对于别人来说,从从KrF光刻机,跳到EUV光刻机?

KrF光刻机还在0.8um,中间隔了0.5um、0.35um、0.25um、0.18um、0.13um……甚至今年90nm!

仅仅是光源系统:从0.8微米时代主要用g-line(436纳米波长) 汞灯;到而0.13微米必须使用KrF(248纳米波长) 准分子激光器。

真正纳米级支撑,还得ArF(193纳米)!

这其中不仅仅是光源的变化,还有整套物镜系统的变化。

然后面临经费问题……直接从KrF光刻机,跳到EUV光刻机,需要多少年?

阿斯麦第一台验证机到交付,近20年的时间!

没有任何一家公司,十几二十年不要营收和利润,投入千亿美刀的海量资金,去研究一个项目!

但是对于韩文韬来说,其实还好!

资金问题,最不用担心。

EUV的核心部件:光学系统、物镜系统、工作台。

光源方面,目前主流是248nm的KrF氟化氪,以及193nm的ArF氟化氩准分子激光器。

光学系统是由20-30枚超大尺寸镜片组成,需要以原子级精度(亚纳米级)对准,且镜片内部应力必须完全消除。

韩文韬可以使用【原子重组】的能力,制造出无缺陷的单晶氟化钙。

这是深紫外激光的核心晶体,其内部晶格完美,能让激光的透过率和稳定性达到极限。

对于光学镜片,他能消除石英玻璃内部的微气泡和应力,通过在原子精度排布硅和氧原子,制造出非球面镜片,提前解决球面像差问题。

至于工作台,他可以用极限工艺,打造出刚性达到理论极限的工件台,让晶圆在纳米级运动中稳如泰山。

所以整个EUV光刻机,没有想象中那么难。

难度肯定是有的。

而且,整个晶圆厂需要的,也不仅仅EUV光刻机。

还有全套EUV光刻机制造芯片的零部件和材料。

都是需要研究,都需要时间。

不过,他前世盘点顶尖科技企业和科技技术……即便他对光刻机不了解,也看过EUV光刻机的相关介绍和视频。

看到过光刻机运行!

仅仅是这些视频里,他结合目前自己学的内容,就能看到:钼硅多层反射膜配方、镀膜工艺专利、 锡滴等离子光源结构专利、EUV 真空运动台结构专利、EUV 掩膜缺陷检测专利等等!!!

一系列的专利都可以提前申请!

现在这个时候,全球对 EUV研究还在推进,样机都没造出来。

更别说细分专利里!

这个时候,EUV专利还没完全锁死,韩文韬可以抢占专利,避免被米帝EUV 联盟的专利锁死。

有专利在手,再去研究EUV光刻机,以及配套刻蚀机、薄膜沉积设备、光刻气体、光刻胶等等。

花时间也无所谓,最少专利不会在研究这些设备的时候,被锁死!

以至于研究出来的EUV光刻机没法用。

甚至……有这些专利在手,韩文韬还能反过来卡阿斯麦EUV光刻机的专利。

甚至延迟阿斯麦EUV光刻机的研究。

阿斯麦在发现EUV光刻机专利被注册的情况下,必然要想办法解决……购买专利?

还是避开专利?

购买?

不可能,除非交叉授权!

避开?

就需要大量的时间,那阿斯麦原来的EUV研发、上市时间就会延后。

说不定最后,东大国产EUV光刻机,比阿斯麦还先推出!

韩文韬先打了个电话到‘前沿科学实验室’。

让宋海山整理相关的资料,等他从锦湖这边过去,就开始弄EUV光刻机相关专利。

不管能不能把EUV光刻机搞出来,先把专利占着!!